广州广电计量检测股份有限公司

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MOSFET功率器件参数检测AQG324-广电计量实验室

发布者:詹俊强 | 来源:广州广电计量检测股份有限公司发布时间:2020-05-10
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1件
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不限量
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自买家付款之日起3天内发货
广电计量
111
AQG324
111
AQG324认证
111
LV324认证
222
LV324
333
   

动态参数:

Turn-on delay time,Rise time,Turn-off delay time,Fall time,Turn-on energy,Turn-off energy,Diode reverse recovery time,Diode reverse recovery charge,Diode peak reverse recovery current,Diode peak rate of fall of reverse recovery current,Total gate charge,Gate-Emitter charge,Gate-Collector charge

 

其他参数:

thermal resistance,Unclamped Inductive Switching,Reverse biased safe operating area,Short circuit safe operation area

服务内容:

覆盖MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等标准;服务内容包括:静态参数,动态参数,热特性,雪崩耐量,短路特性及绝缘耐压测试;设备支持0-1500A,0-3000V的器件参数检测。

产品范围:

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块


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联系人 詹俊强
微信 13726258929
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传真 地址 广州市天河区黄埔大道西平云路163号
主营产品 gjb150a温湿高测试,gjb150a太阳辐射检测,gb2423振动测试,do-160加速度测试 网址 /qiye2476311/
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