南晶电子氮化稼GaN

特性

1. 宽禁带：GaN的禁带宽度约为3.4电子伏特（eV），这使其适用于高温、高频和高功率应用。

2. 高热导率：GaN具有较高的热导率，能够有效散热，从而在高温环境下保持良好的性能。

3. 高电子迁移率：GaN中的电子迁移率比硅（Si）和砷化镓（GaAs）等传统半导体材料更高，这使得GaN器件具有更高的开关速度和更低的功耗。

4. 耐辐射性：GaN对辐射具有较强的抵抗能力，适用于航天和等领域。

应用领域

1. 电力电子：GaN场效应晶体管（FET）和二极管用于电源转换器、逆变器和电机驱动器等设备，因其低损耗和高开关频率而备受青睐。

2. 射频（RF）器件：GaN基RF器件广泛应用于通信基站、雷达系统和卫星通信等领域，因其高功率密度和高频率操作能力。

3. 光电子器件：GaN是制造蓝光和绿光LED以及激光二极管的关键材料，广泛应用于显示、照明和数据存储等领域。

4. 传感器：GaN基传感器可用于检测温度、压力、光照和气体等，因其的稳定性和耐受性。

5. 电动汽车：GaN器件在电动汽车的电驱系统和充电基础设施中具有重要应用，可提率和减小系统尺寸。