主营产品：MCU单片机、存储芯片、晶振谐振器、滤波双工器、传感器、射频芯片、电源管理芯片、音频功放、驱动芯片、接口芯片、蓝牙芯片、安防监控芯片、WIFI芯片、汽车芯片。

HI3518ERBCV200特性

Physical Specifications 

Power consumption































− Typical power consumption of 700 mW (including































DDR2 SDRAM)































− Multi-level power saving mode

Operating voltages































− 1.1 V core voltage































− 3.3 V I/O voltage and 3.8 V margin voltage

Package































− Body size of 10 mm x 10 mm (0.39 in. x 0.39 in.), 0.65































mm (0.03 in.) ball pitch, TFBGA RoHS package with































192 pins

HISILICON/海思部分产品：

HI3516ERNCV200    

HI3516ERBCV300    

HI3516CRBCV500    

HI3516DRBCV300    

HI3518ERBCV200    

HI3559ARFCV100    

HI3516ARBCV100    

HI3559RBCV200    

HI3516CRBCV200    

HI3520DRQCV300    

HI3520RBCV100    

HI3520ARFCV100    

HI3520DRQCV200    

HI3520DRBCV400    

HI3516RFCV100    

HI3516CRBCV100    

HI3516DRBCV500    

HI3516CRBCV300    

HI3531DRBCV100    

HISILICON/海思紧缺料供货。常用物料大量现货，支持订货。欢迎方案公司，生产工厂合作。公司承诺所售产品均为原装。如需了解更多产品型号规格请联系我们的销售人员。