单管气氛管式炉

气氛管式炉设计用于半导体材料退火、扩散、氧化工艺；同时也用于太阳能电池行业的氮化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、多晶硅等多种渡膜（LPCVD）工艺。该炉采用FEC陶瓷纤维管保温，KTL电阻丝加热，气炼石英管作为炉膛，可预抽真空并通入保护/反应气体；日本原装进口温度控制仪控制，温区设计隔板结构，温度均匀。进口或国产气氛控制系统，浮子流量计控制。具有温度均匀、控制稳定、具有温度扰动小、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是企业、科研院所理想的科研设备。